中国能解决芯片问题吗

中国芯片现状最新消息：我国拥有许多优秀的半导体芯片企业公司，自从华为芯片产能受限之后，中国半导体的现状在于产能不足，但是目前中国芯片产业较几年前确实存在质的飞跃。

中国芯片制造在全球芯片时代变局下，全球芯片荒也给中国芯片发展提供了更多的可能性，中芯国际、台积电等国内芯片制作巨头也不断投资进一步提升产能。

尽管如此，我国芯片行业与芯片发达国家之间的差距相差的有点远，因此中国想要在短时间内解决芯片产能问题还是存在一定困难。但是中国也没有放弃自主研发，加强自主创新以及提升整体产业链水平，未来将带领中国半导体行业迈上新台阶。

打破美日垄断？芯片国产化再获新突破：128层闪存芯片进入量产

长期以来，全球的存储芯片市场份额基本集中在韩国、日本、美国等国家的芯片企业手中，我国在这方面虽然起步比较晚，但是进步速度快，我国存储芯片“三剑客”之一长江存储仅仅花了4年时间，就完成了32层3D NAND闪存芯片到128层3D NAND闪存芯片的研发。近日，我国在闪存芯片和固态硬盘领域传来好消息。

据媒体周四（7月29日）最新报道，国内存储产品代工企业“嘉合劲威”宣布， 该司旗下 品 牌阿斯加特发布新品AN4 PCle4.0 SSD闪存颗粒 ，该硬盘 采用的是长江存储研发的128层3D TLC NAND， 主要的实行方案同样来自于中企英韧 科技 。

闪存芯片和SSD固态硬盘之间有什么样的联系呢？NAND闪存芯片被广泛采用到SSD固态硬盘、智能手机、平板电脑等电子设备中， 数据统计显示，2019年，SDD固态硬盘对NAND闪存芯片的需求占比达49.6%，此外，2021年，预计SSD固态硬盘全球的出货量高达3.3亿台。 随着SSD固态硬盘的市场规模越来大，也加速拉动了NAND闪存芯片的市场需求量。

值得一提的是，虽然，当前硬盘市场仍以PCIe 3.0 SSD为主流，但是技术进步是发展趋势，随着更多的高端产品的流出，PCIe 4.0 SSD的呼声也越来越高，三星、西部数据等闪存芯片巨头都推出了PCIe 4.0 SSD固态硬盘。 因此，AN4 PCle4.0 SSD的出现不仅能够填补我国国产高端 PCle4.0 SSD固态硬盘领域的长期空白， 同时也象征着我国国产SSD固态硬盘成功迈进高端市场。

另外，有业内人士分析认为，阿斯加特此次发布的新品， 意味着长江存储研发的128层闪存芯片已经进入量产阶段。由此，该司正式进阶到100层以上的高端闪存芯片赛道，未来有望在闪存芯片市场上获得更多的市场份额。

此次，阿斯加特与长江存储的强强合作，又为我国高端技术突破增添了“功勋章”，成功把我国国产NAND闪存芯片和SSD固态硬盘推向高端市场。

文 | 张建琳 题 |曾云梓 图 | 卢文祥 审 | 吕佳敏

特斯拉HW4芯片最新进展 或由TSMC生产/采用4-5纳米工艺

易车讯 据消息称，台积电将取代三星，拿下特斯拉辅助驾驶（FSD）芯片大单，将以4纳米或5纳米工艺生产（应该就是下一代FSD芯片HW4，因为HW3是14纳米芯片）。特斯拉明年有望成为TSMC前七大客户，这也是TSMC主力客户中首次出现新能源车企客户。

目前特斯拉正致力开发全自动辅助驾驶系统 FSD（Full Self-Driving Computer），采用自研芯片，融合高速运算、AI 等功能。

在此之前，特斯拉采取多元供应商策略，在台积电、三星都有下单。据了解到，特斯拉前一代辅助驾驶芯片采用14nm生产，以三星奥斯汀工厂为主，该芯片又称为Hardware 3.0，而后续又升级为7nm制程。从之前公布的信息来看，Hardware  3.0的图像处理速度比Hardware 2.5提升了21倍，比Hardware 2.5单体成本降低20%，而且老车主也能免费升级。

其中，特斯拉自主研发的全自动驾驶FSD芯片算力可达144 TOPS，支持Full Self Driving Computer芯片的8个摄像头将完成视觉处理工作。此外，之前还有消息称特斯拉正与台积电开发下一代Hardware平台，性能是现款3倍。

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